信息存储应用技术
  • 用于频率模式检测和实施的系统和方法与流程
    本发明的实施例大体上涉及计算机存储器系统的领域。更确切地说,本发明的实施例包含用于确定和实施用于实施存储器命令的频率模式的一或多种系统、装置和方法。此章节意图向读者介绍可能涉及本公开的各个方面的技术的各个方面,这些方面在下文中有所描述和/或主张。相信此论述有助于向读者提供背景信息以促进对本...
  • 用于DDR5存储器装置中数据路径功率节省的系统及方法与流程
    本发明涉及用于存储器装置的电路,且更明确来说,涉及可在存储器装置(例如第五代双倍数据率(ddr5)存储器装置)的数据路径中使用的用于功率节省的系统及方法。随机存取存储器(ram)装置(例如可在电装置中采用以提供数据处理及/或存储的装置)可提供对存储于装置的存储器电路中的可寻址数据的直接可用...
  • 微视频系统、格式和生成方法与流程
    本公开总体涉及对包括视频在内的影像的捕获和表示(例如回放)。更具体地,本公开涉及根据新颖的微视频图像格式使用和/或生成图像文件的系统和方法,并且还涉及用于修剪微视频的技术。图像捕获设备是能够捕获影像(例如,以图像帧的形式)的设备。图像捕获设备包括相机、记录器、传感器和/或其他设备。在某些情...
  • 内部电压生成电路的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请对2018年8月6日提交的申请号为10-2018-0091093的韩国申请要求优先权,所述韩国申请通过引用以其全部被并入本文中。本公开内容的实施例涉及半导体集成电路,并且更具体地涉及内部电压生成电路。一般而言,半导体器件从外部系统接收功率供给电压vdd与接地电压vs...
  • 一种新式延缓磨损延长固态硬盘使用寿命的方法与流程
    本发明属于固态硬盘,更具体地说,涉及一种新式延缓磨损延长固态硬盘使用寿命的方法。固态硬盘由控制单元与存储单元组成。存储单元采用的是flash存储介质,控制单元包括主控制器、ddr内存和sas接口。固态硬盘中的flash存储介质在使用的时候会出现磨损,磨损程度决定了硬盘的使用寿命,这...
  • 将数据写入一闪存单元的方法以及控制装置与流程
    本申请要求2015年03月27日提交的中国专利申请号201510140113.6的权利,所述专利文献进一步以中国台湾专利申请号103144137的申请日2014年12月17日作为优先权日,并且在此被完全引述作为参考。本发明涉及读一闪存的数据写入方法与其控制装置,尤其涉及提高一闪存的使用寿命与操作速...
  • 非易失性存储器装置及操作其的方法与流程
    本发明总体上涉及一种能够电擦除和编程的闪存装置,更具体地,涉及一种用于优化在nand型闪存装置中擦除的单元阈值电压的分布轮廓的方法。作为一种使用隧穿现象擦除和编程数据的非易失性装置,闪存装置具有优异的数据存储容量。此外,所述装置不仅具有比硬盘(harddisk)的功耗更低的功耗,而且还呈现...
  • 一种能够实现低压下高读写稳定性的SRAM存储单元电路的制作方法
    本发明属于集成电路,涉及一种9管sram存储单元电路,适用于单端读写阵列结构,在低压下能够提升读写稳定性且具有较低的静态功耗。近年来,以无线传感网络和医疗电子设备为代表的应用领域对片上系统的功耗和性能要求越来越高,嵌入式静态随机存储器sram是片上系统的关键组成模块之一。降低电源电...
  • 智能录播方法与流程
    本发明涉及数据处理领域,尤其涉及一种智能录播方法。近年来,随着计算机技术的发展,存在向用户播放视频的许多场景。典型地,例如在教育场景下,经常通过向用户(即,学生)播放教学视频的方式替代人工授课。传统的视频教学方式是由老师事先录制好教学视频、再在给定的时间向学生播放来进行的,这种方式一般称为...
  • 输出驱动器、以及具有其的半导体存储器设备和存储器系统的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求对于2018年8月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2018-0091246的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。本发明构思的示例性实施例涉及输出驱动器、以及具有该输出驱动器的半导体存储器设备和存储器系统。存储器系统可以包括半导体存储器设备和...
  • 双倍数据速率同步动态随机存取存储器(“DDR SDRAM”)数据选通信号校准的制作方法
    诸如台式计算机、膝上型计算机或平板电脑、智能电话、便携式数字助理、便携式游戏控制台等的计算设备包括一个或多个处理器(比如中央处理单元、图形处理单元、数字信号处理器等)以及一个或多个存储器。为了提升较高吞吐量,这样的存储器可以是能够进行高速操作的类型,比如双倍数据速率同步动态随机存取存储器(...
  • 减小选择栅极阈值电压移位的电场的制作方法
    半导体存储器广泛用于各种电子设备,诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如,电池)时,非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性...
  • 用于使用共享地址路径在存取存储器排组的同时刷新另一存储器排组的系统和方法与流程
    本发明的实施例大体上涉及半导体装置的领域。更确切地说,本发明的实施例涉及使用共享地址路径在存取半导体装置的第二存储器排组的同时刷新半导体装置的第一存储器排组。例如动态随机存取存储器(dram)的半导体存储器装置可通过定期从存储器单元读取信息并将所述读取信息重写到存储器单元以保存信息来刷新存...
  • 基于4d和5d过渡金属钙钛矿的磁性存储器设备的制作方法
    对政府权利的引用本发明是在国家科学基金会授予的dmr1234096的政府支持下完成的。政府拥有本发明的某些权利。相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月28日提交的美国临时专利申请no.62/525,885的优先权,其全部内容通过引用并入本文。源自自旋轨道效应的电流感应自旋转矩为电磁设...
  • 用于使用共享地址路径在存取存储器排组的同时刷新另一存储器排组的系统和方法与流程
    本发明的实施例大体上涉及半导体装置的领域。更确切地说,本发明的实施例涉及使用共享地址路径在存取半导体装置的第二存储器排组的同时刷新半导体装置的第一存储器排组。例如动态随机存取存储器(dram)的半导体存储器装置可通过定期从存储器单元读取信息并将所述读取信息重写到存储器单元以保存信息来刷新存...
  • 用于存储器决策反馈均衡器的电压参考计算的制作方法
    本发明的实施例大体上涉及半导体存储器装置的领域。更确切地说,本发明的实施例涉及使用半导体存储器装置的决策反馈均衡器(dfe)电路来校正所发射的信号中的失真。存储器装置的操作速率,包含存储器装置的数据速率,已经随着时间推移而增大。作为存储器装置的速度增大的副作用,由于失真所致的数据错误可能增...
  • 命令地址输入缓冲器偏置电流减小的制作方法
    本公开的实施例大体上涉及半导体装置的领域。更具体地说,本公开的实施例涉及命令地址输入缓冲器偏置电流减小。此章节意图向读者介绍可能涉及本公开的各种方面的技术的各种方面,这些方面在下文中有所描述和/或主张。相信此论述有助于向读者提供背景信息以促进对本公开的各种方面的更好理解。因此,应理解,应鉴...
  • 存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法与流程
    本发明涉及存储器芯片,更具体的说,涉及一种存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法。随着科学技术的不断发展,越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。存储器芯片是电子设备的一个重要电子元件。...
  • 一种NAND Flash时序测试方法与流程
    本发明涉及存储芯片测试,具体涉及一种nandflash时序测试方法。目前由于芯片集成度较高,对nandflash芯片的测试通常由自动测试设备(ate)执行;测试过程中通过比较由芯片输入、输出的数据是否相同判断此芯片是否存在故障。而现有nandflash芯片接口多为ddr3模式,在d...
  • 具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月2日提交的申请号为62/713,964,标题为“具有利用下采样和流水线的可重新配置邻区辅助校正的nand闪速存储器”的临时申请的优先权,该临时申请转让给本受让人,并且该临时申请通过引用整体而明确地并入本文。本申请还涉及到于2016年1月3日提交的申请号为...
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